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選擇IGBT模塊時(shí)，通常是先計(jì)算通過IGBT模塊的電流值，然后根據(jù)電力電子設(shè)備的特點(diǎn)，考慮到過載、電網(wǎng)波動(dòng)、開關(guān)尖峰等因素考慮一倍的安全余量來(lái)選擇相應(yīng)的IGBT模塊。但嚴(yán)格的選擇，應(yīng)根據(jù)不同的應(yīng)用情況，計(jì)算耗散功率，通過熱阻核算具最高結(jié)溫不超過規(guī)定值來(lái)選擇器件。通過最高結(jié)溫可選擇較小的IGBT模塊通過更大的電流，更加有效地利用IGBT模塊。Infineon英飛凌6U三相橋IGBT模塊型號(hào)齊全

因?yàn)榇蠖鄶?shù)IGBT模塊工作在交流電網(wǎng)通過單相或三相整流后的直流母線電壓下，所以，通常IGBT模塊的工作電壓，均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)?？紤]到過載，電網(wǎng)波動(dòng)，開關(guān)過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收等設(shè)計(jì)比較好，就可以使用較低耐壓的IGBT模塊承受較高的直流母線電壓。全新正品英飛凌IGBT模塊整流+七單元半導(dǎo)體

對(duì)于一個(gè)具體的應(yīng)用來(lái)說，在選擇IGBT功率模塊時(shí)，需要考慮其在任何靜態(tài)、動(dòng)態(tài)、過載（如短路）的運(yùn)行情況下：器件耐壓；在實(shí)際的冷卻條件下，電流的承受力；合適的開關(guān)頻率；安全工作區(qū)（SOA)限制；最高運(yùn)行限制；封裝尺寸等等。英飛凌IGBT功率模塊半橋2單元可控硅晶閘管

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”。西門康模塊IGBT智能功率模塊賽米控元器件 SKIIP 系列

IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見。德國(guó)SEMIKRON西門康IGBT功率模塊現(xiàn)貨供應(yīng)